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SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列

簡要描述:SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換,實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動,偏振相關(guān)性小,插入損耗低

  • 產(chǎn)品型號:ZG
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-02-17
  • 訪  問  量:1584

詳細介紹

品牌梓冠

SOI芯片式高速光開關(guān)陣列

        四川梓冠光電最新研發(fā)SOI芯片式高速光開關(guān)陣列,該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換,實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動,偏振相關(guān)性小,插入損耗低。


〖性能指標Specifications〗

參數(shù)指標

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or 1270nm—1330 nm

消光比

Extinction ratio

dB

19

20

22


插入損耗

Insertion loss

dB

1.6

1.8

2.0


回波損耗

Return loss

dB

40

50



偏振相關(guān)損耗

PDL

dB


0.3

0.5


驅(qū)動電壓

drive voltage

V

0.9

1

1.2

@300ns

驅(qū)動電流

drive current

mA

6

7

9

@300ns

芯片級響應(yīng)時間

Response Time

ns

30


300


熱調(diào)功耗

Thermal tuning power consumption

mW

30


50


通道數(shù)

number of channels


8—16或可定制

8—16 or Can be customized


光功率

Transmission optical power

mW

80


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

20(L)×2.5 (W)×0.5(H)

或可定制

or can be customized

ZG

波長

Wavelength

通道數(shù)

Number of channels

類型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

XX=other

1=不帶熱調(diào)

1=Without temperature regulating thermistor

2=帶熱調(diào)

2=With temperature regulating thermistor

XX=other










































梓冠光電自成立以來,持續(xù)投入研發(fā),吸納通信行業(yè)技術(shù)人才,其中博士占比人數(shù)5.7%,本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸鄒于多元化,不僅擁有行業(yè)水平的光開關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導(dǎo)體激光器及光路保護設(shè)備(OXC)等產(chǎn)品,公司還為激光雷達系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件,其中光纖延遲器、光開關(guān)、光衰減器系列為核心技術(shù)的量產(chǎn)產(chǎn)品,產(chǎn)品技術(shù)獲得多項認證,其中發(fā)明6項,外觀,軟著,實用性等共16項

SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列

SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列






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